توسعه پردازندههای 5 نانومتری توسط سامسونگ
شرکت سامسونگ الکترونیکس به عنوان برند پیشتاز در حوزه فناوری نیمههادیها اعلام کرد که فناوری پردازش FinFET 5 نانومتری را تکمیل کرده و اکنون آماده ارائه مدلهای نمونه به مشتریان است. با اضافه شدن این مدل پیشرفته به مجموعه محصولات پردازشی مبتنی بر فوق ماورای بنفش (EUV)، سامسونگ بار دیگر برتری خود را در بازارهای پایه پیشرفته به اثبات رساند.
فناوران- فناوری پردازش 5 نانومتری FinFET در مقایسه با سری 7 نانومتری، کارآمدی مدارهای منطقی را تا 25 درصد افزایش داده و در عین حال میزان مصرف انرژی در آن نیز تا 10 درصد کاهش پیدا میکند یا به عبارت دیگر روند پردازش بهینهسازی شده و میزان عملکرد پردازنده 10 درصد ارتقا پیدا میکند و همین مساله امکان طراحی استانداردهای نوآورانهتر در معماری سلولی (Cell Architecture)را نیز فراهم میکند. علاوه بر بهینه سازی «عملکرد در حوزه انرژی» (PPA)، مشتریان میتوانند از مزایای متعدد فناوری بسیار پیچیده EUV 5 نانومتری سامسونگ بهرهمند شوند. سری 5 نانومتری نیز مانند سری قبل پردازندههای این شرکت، از لیتوگرافی EUV در الگوسازی سطح فلز استفاده کرده و به این ترتیب با کاهش میزان سطح پوششی، صحت عملکرد را افزایش میدهد.
یکی دیگر از مزایای مهم فناوری 5 نانومتری آن است که میتوانیم از همه IPهای 7 نانومتری برای 5 نانومتری هم استفاده کنیم و به این ترتیب روند انتقال مشتریان از فناوری 7 نانومتری به 5 نانومتری با هزینههایی بسیار کمتر و اکوسیستم از پیش طراحی شده همراه بوده و در نهایت روند تولید محصولاتی با فناوری 5 نانومتری بسیار کوتاهتر خواهد بود.
بخش فناوریهای پایه سامسونگ (Samsung Foundry) در همکاری با شرکتهای فعال در بخش اکوسیستم پیشرفته پایه سامسونگ (SAFE) توانست زیرساخت منسجمی را برای فناوری 5 نانومتری سامسونگ طراحی کند که شامل کیت طراحی پروسه (PDK)، متدولوژی طراحی (DM)، ابزارهای اتوماسیون طراحی الکترونیک (EDA) و IP میشود. این مجموعه از سه ماهه آخر سال 2018 به تدریج به طرفین عرضه شدهاند. در عین حال بخش فناوریهای پایه سامسونگ ارائه خدمات Multi Project Wafer (MPW) را به مشتریان خود آغاز کرده است. چارلی بی، معاون بخش فناوریهای پایه سامسونگ میگوید با تکمیل موفقیتآمیز توسعه 5 نانومتری، توانستیم تواناییهایمان را در نودهای مبتنی بر EUV ثابت کنیم.